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SCT30N120

ST

SiC-N 1200V 45A 80mOhm HiP247-3
Fabricante: STMicroelectronics
Código de coincidencia (matchcode): SCT30N120
Rutronik No.: TMOSP11114
Unidad de embalaje: 30
MOQ: 600
Encapsulado: HiP247
Presentación: TUBE
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SiC-N 1200V 45A 80mOhm HiP247-3 Descripción

Silicon carbide Power MOSFET 45 A, 1200 V, 80 mΩ, N-channel in HiP247 package

Parámetros

Configuración
N-CH
V(DS)
1200 V
I(D)at Tc=25°C
45 A
RDS(on) a 10V
80 mOhm
Encapsulado
HiP247
Q(g)
105 nC
P(tot)
270 W
R/W cycle
0.65 K/W
Nivel lógico
NO
Automoción
NO
Tecnología
SiC
Montaje
THT
Fast bodydiode
NO
Leadfree Defin.
10
Embalaje
TUBE
ECCN
EAR99
Número de tarifa aduanera
85412900000
País
Japan
Clave-ABC
C
Plazo de entrega del proveedor
99 Semanas
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